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Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication

机译:用于高功率单模操作的垂直腔表面发射激光器及其制造方法

摘要

A VCSEL for high power single mode operation and method of fabrication including a substrate element, a first stack of distributed Bragg reflectors disposed on a surface of the substrate element, an active region lattice matched to a surface of the first stack of distributed Bragg reflectors, and a second stack of distributed Bragg reflectors lattice matched to a surface of the active region. The VCSEL structure includes an isolation layer formed on the second stack of distributed Bragg reflectors. The isolation layer is formed of a dielectric material or insulating semiconductor material having an index of refraction greater than the first and second stacks of distributed Bragg reflectors and thereby defining an anti-guiding VCSEL structure. An electrical contact is coupled to a surface of the second stack of distributed Bragg reflectors and an electrical contact is positioned a surface of the substrate element.
机译:一种用于高功率单模操作的VCSEL及其制造方法,其包括:衬底元件,布置在衬底元件的表面上的第一分布式布拉格反射器叠层,与第一分布式布拉格反射器叠层的表面匹配的有源区晶格,第二堆叠的分布式布拉格反射器晶格匹配于有源区的表面。 VCSEL结构包括隔离层,该隔离层形成在第二层分布式布拉格反射器上。隔离层由折射率大于分布式布拉格反射器的第一叠层和第二叠层的折射率的介电材料或绝缘半导体材料形成,从而限定了抗引导的VCSEL结构。电触头耦合到分布式布拉格反射器的第二叠层的表面,并且电触头位于衬底元件的表面。

著录项

  • 公开/公告号US6021147A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOTOROLA INC.;

    申请/专利号US19970963623

  • 申请日1997-11-04

  • 分类号H01S3/085;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:38:03

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