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Charged-particle-beam (CPB) lithography apparatus, evaluation method, and CPB source

机译:带电粒子束光刻设备,评估方法和CPB源

摘要

Charged-particle-beam (CPB) lithography apparatus are disclosed that provide high accuracy in forming, by projection exposure using a charged particle beam, a pattern on a sensitive substrate at high throughput. The apparatus comprise a cathode having a work function of 2. 65 eV or less within a space-charge limitation region. The temperature of the cathode is controlled within a range of 1,200 to 1,400° C.
机译:公开了带电粒子束(CPB)光刻设备,其通过使用带电粒子束的投影曝光以高生产量在敏感基板上形成图案方面提供了高精度。该装置包括在空间电荷限制区域内具有2. 65 eV或更小的功函数的阴极。阴极的温度控制在1200至1400℃的范围内。 C。

著录项

  • 公开/公告号US6087667A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIKON CORPORATION;

    申请/专利号US19970940638

  • 发明设计人 SHINTARO KAWATA;MAMORU NAKASUJI;

    申请日1997-09-30

  • 分类号H01J37/30;H01J37/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:36:42

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