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Three level pre-buffer voltage level shifting circuit and method

机译:三电平预缓冲电压电平转换电路及方法

摘要

A buffer circuit utilizes a single gate oxide pre-buffer voltage level shifting circuit on, for example, an output buffer of an I/O pad, to accommodate different I/O pad supply voltages while maintaining normal operating voltages (degradation levels) across boundaries of single gate oxide devices that form the buffer. The single gate oxide output buffer can operate at several different supply voltages. A pre- buffer voltage level shifting circuit includes a multi-supply voltage level shifting circuit having single gate oxide devices coupled to produce a pre-buffer output signal to an output buffer. A single gate oxide cross coupled active load is coupled to the multi-supply voltage level shifting circuit and provides suitable drive voltages to at least one of cascaded buffer transistors.
机译:缓冲电路在例如I / O焊盘的输出缓冲器上利用单个栅极氧化物预缓冲电压电平转换电路,以适应不同的I / O焊盘电源电压,同时保持跨边界的正常工作电压(降级)形成缓冲器的单栅极氧化物器件的数量。单栅极氧化物输出缓冲器可以在几种不同的电源电压下工作。预缓冲器电压电平移位电路包括多电源电压电平移位电路,该多电源电压电平移位电路具有被耦合以产生到输出缓冲器的预缓冲器输出信号的单栅极氧化物器件。单栅极氧化物交叉耦合的有源负载耦合到多电源电压电平移位电路,并且向级联的缓冲晶体管中的至少一个提供合适的驱动电压。

著录项

  • 公开/公告号US6130557A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ATI TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US19990300365

  • 发明设计人 OLEG DRAPKIN;GRIGORI TEMKINE;

    申请日1999-04-26

  • 分类号H03K19/0185;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:36:01

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