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机译:在新的陶瓷基体上制备超导复合氧化物厚膜的方法
公开/公告号IN186710B
专利类型
公开/公告日2001-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号IN660/DEL/93
发明设计人 JACOB KOSHY -INDIA JIJIMON KUMPUKKATTU THOMAS-INDIA JOSE KURIAN -INDIA YOGENDRA PRASAD YADAVA -INDIA AND ALATHOOR DAMODARAN DAMODARAN -INDIA;
申请日0000-00-00
分类号
国家 IN
入库时间 2022-08-22 01:24:47
机译: 氧化铜陶瓷导电和超导厚膜及其制备方法
机译: 厚的超导氧化物膜的组成以及使用相同的方法制备厚膜带状超导氧化物的方法