METODE PEMBUATAN LAPISAN EPITAKSI SILIKON DI ATAS SILIKON BERPORI DENGAN TEKNIK LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)

• 1. 通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅/悬空硅复合结构 [P] . 中国专利： CN100461367C . 2009.02.11
• 2. 通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅/悬空硅复合结构 [P] . 中国专利： CN1914721A . 2007-02-14
• 3. METODE PEMBUATAN LAPISAN EPITAKSI SILIKON DI ATAS SILIKON BERPORI DENGAN TEKNIK LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) [P] . IDP000029662A . 2001-09-20

  机译： 使用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在多孔硅上形成硅酮防腐涂层的方法

• 4. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF NITRIDA TERHIDROGENASI SEBAGAI INSULATOR PATE PADA THIN FILM TRANSISTOR (TFT) DENGAN TEKNIK PECVD [P] . IDP000029671A . 2001-09-20

  机译： 使用PECVD技术在薄膜晶体管（TFT）上将氢化的氨基氮化硅薄层用作膜绝缘体

• 5. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF NITRIDA TERHIDROGENASI SEBAGAI INSULATOR PATE PADA THIN FILM TRANSISTOR (TFT) DENGAN TEKNIK PECVD [P] . ID29671A . 2001-09-20

  机译： 使用PECVD技术在薄膜晶体管（TFT）上将氢化的氨基氮化硅薄层用作膜绝缘体

• 1. Numerical modeling of SiC by low-pressure chemical vapor deposition from methyltrichlorosilane [J] . Kang Guan, Yong Gao, Qingfeng Zeng, 中国化学工程学报（英文版） . 2020,第006期
• 2. Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition [J] . LIN Tao, CAI Dao-min, LI Xian-jie, 半导体光子学与技术（英文版） . 2007,第003期
• 3. High-Quality Doped Polycrystalline Silicon Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) [C] . Pradeep Padhamnath, Naomi Nandakumar, Buatis Jammaal Kitz International Photovoltaic Power Generation and Smart Energy Conference amp;amp;amp; Exhibition . 2018
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• 5. Iron-Intercalated Zirconium Diselenide Thin Filmsfrom the Low-Pressure Chemical Vapor Deposition of Fe(η5-C5H4Se)2Zr(η5-C5H5)22 [O] . Clara Sanchez-Perez, Caroline E. Knapp, Ross H. Colman, 2020
• 6. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL [O] . Sutanto Heri, Nurhasanah Iis, Badriyah Luluk L, 2008
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• 2. Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nb and F Co-Doped TiOsub2/subLayer [J] . Satoshi Yamauchi ,Shouta Saiki ,Kazuhiro Ishibashi . 结晶过程及技术期刊（英文） . 2014,第2期
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• 5. 有机金属化学气相沉积系统的建立及单晶硅<100>上铜薄膜的成长 [A] . 陶波 . 2004