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机译:具有高性能的反应室,用于半导体的去离子化汽相反应过程。
公开/公告号IT1304833B1
专利类型
公开/公告日2001-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 LOVERGINE NICOLA;MUCCIATO RAFFAELE;
申请/专利号IT1998BA00038
发明设计人 MUCCIATO RAFFAELE;LOVERGINE NICOLA;
申请日1998-10-01
分类号
国家 IT
入库时间 2022-08-22 01:23:18
机译: 具有高性能的反应室,用于半导体的去离子化汽相反应过程。
机译: 用于化学气相沉积的反应室-包括晶片加热装置,气体供应头,反应室元件,废气出口
机译: 蒸汽冷凝机械能系统-在转子腔中产生允许蒸汽进入的能量,以置换水以产生反作用扭矩