首页> 外国专利> Power model for EMI simulation of semiconductor integrated circuit, method of designing the power model, computer program, and storage medium storing the same

Power model for EMI simulation of semiconductor integrated circuit, method of designing the power model, computer program, and storage medium storing the same

机译:用于半导体集成电路的EMI仿真的功率模型,功率模型的设计方法,计算机程序和存储该模型的存储介质

摘要

The present invention provides a power model for a semiconductor integrated circuit, wherein the power model comprises a logic gate circuit part representing an operating part of the semiconductor integrated circuit and an equivalent internal capacitive part representing a non-operating part of the semiconductor integrated circuit.
机译:本发明提供了用于半导体集成电路的功率模型,其中,功率模型包括代表半导体集成电路的操作部分的逻辑门电路部分和代表半导体集成电路的非操作部分的等效内部电容部分。

著录项

  • 公开/公告号EP1107139A2

    专利类型

  • 公开/公告日2001-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号EP20000126216

  • 发明设计人 OGAWA MASASHI;WABUKA HIROSHI;

    申请日2000-11-30

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 01:15:31

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号