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Reading circuit of the memory with a dynamic control device of the preload

机译:带预载动态控制装置的存储器读取电路

摘要

The present invention relates to a reading circuit of the memory with precharging device for dynamic control. It finds its application in the field of the non-volatile memory (eeprom, flash eprom) . It is characterized in that the precharging means comprise means for interrupting the precharging the bit line and the reference line when the potential of the latter reaches a limit value, referenced with respect to the ground.
机译:本发明涉及具有用于动态控制的预充电装置的存储器的读取电路。它在非易失性存储器(eeprom,闪存eprom)领域中找到了应用。其特征在于,预充电装置包括用于在位线和参考线的电位达到相对于地面参考的极限值时中断对位线和参考线的预充电的装置。

著录项

  • 公开/公告号FR2762435B1

    专利类型

  • 公开/公告日2000-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA;

    申请/专利号FR19970004927

  • 发明设计人 YERO EMILIO MIGUEL;

    申请日1997-04-16

  • 分类号G11C7/00;G11C16/02;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 01:08:04

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