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Magnetoresistive effect element having magnetoresistive layer and underlying metal layer

机译:具有磁阻层和下面的金属层的磁阻效应元件

摘要

In a magnetoresistive element, an underlying metal layer is formed on a substrate, and a magnetoresistive layer is formed on the underlying metal layer. The underlying metal layer has a thickness of about 0.1 to 3. 0 nm.
机译:在磁阻元件中,在衬底上形成底层金属层,并且在底层金属层上形成磁阻层。下层金属层的厚度为约0.1至3. 0 nm。

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