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磁阻效应元件和具有该磁阻效应元件的磁存储器

摘要

能取得即使减小尺寸,也能实现MR比大、热稳定性优异、开关磁场小的磁阻效应元件和使用该磁阻效应元件的磁存储器。包含隔着非磁性层层叠多个铁磁性层的存储层、具有至少一层铁磁性层的磁性膜、设置在所述存储层和所述磁性膜之间的隧道势垒层;所述存储层的铁磁性层由Ni-Fe-Co三元合金构成;所述存储层和所述隧道势垒层的界面以及所述磁性膜和所述隧道势垒层的界面的最大粗糙度为0.4nm以下。

著录项

  • 公开/公告号CN1252841C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN03108271.8

  • 发明设计人 西山勝哉;斉藤好昭;天野実;

    申请日2003-03-27

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:10:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L43/08 授权公告日:20060419 终止日期:20130327 申请日:20030327

    专利权的终止

  • 2006-04-19

    授权

    授权

  • 2004-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-12-24

    公开

    公开

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