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Resist developing process

机译:抵制发展进程

摘要

A developing process for obtaining a resist pattern on a semiconductor wafer includes puddling a developer on a wafer and holding a wafer inclined at a predetermined tilt angle in the puddled condition and repeating alternately stoppage and slow rotation plural times. This can make the central pattern width narrower selectively simply by apparatus adjustment, in case where, otherwise the pattern width of a wafer's central portion becomes wide, thereby achieving an increased pattern uniformity of the wafer and serve as improving the performances.
机译:用于在半导体晶片上获得抗蚀剂图案的显影工艺包括:在晶片上搅动显影剂,并在搅动状态下保持以预定倾斜角度倾斜的晶片,并交替重复停止和慢速旋转多次。在晶片中心部的图形宽度变宽的情况下,这可以简单地通过设备调节来选择性地使中央图形宽度变窄,从而实现晶片的图形均匀性的提高,并起到改善性能的作用。

著录项

  • 公开/公告号US6207352B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号US19980127763

  • 发明设计人 AKIRA MUTOH;

    申请日1998-07-31

  • 分类号G03F73/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:04:49

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