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Multilayered pinned layer of cobalt based films separated by a nickel base film for improved coupling field and GMR for spin valve sensors

机译:钴基薄膜的多层固定层,由镍基薄膜隔开,用于改善耦合场,自旋阀传感器采用GMR

摘要

A multifilm structure is provided for a pinned layer structure of a spin valve sensor for increasing the magnetoresistive coefficient (dr/R) of the sensor and/or decreasing a ferromagnetic coupling field (HF) between the pinned layer structure and the free layer of the sensor. The multifilm structure for the pinned layer in one or both AP layers of an AP pinned layer structure or a single pinned layer structure includes a nickel iron (NiFe) middle layer which is located between a cobalt (Co) first film and a cobalt (Co) second film.
机译:为自旋阀传感器的固定层结构提供了一种多层结构,用于增加传感器的磁阻系数(dr / R)和/或减小固定之间的铁磁耦合场(H F )层结构和传感器的自由层。 AP固定层结构或单固定层结构中一个或两个AP层中固定层的多层膜结构包括位于第一钴(Co)膜和钴(Co )第二部电影。

著录项

  • 公开/公告号US6226159B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号US19990344102

  • 发明设计人 MUSTAFA PINARBASI;

    申请日1999-06-25

  • 分类号G11B53/90;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:04:28

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