机译:带电束曝光的能量吸收分布的计算方法,模拟器,带电束曝光方法,半导体设备和面罩的制造方法以及记录程序的记录介质,用于计算吸收的能量分布
公开/公告号JP2002075818A
专利类型
公开/公告日2002-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 TOSHIBA CORP;
申请/专利号JP20000254307
发明设计人 NAKASUGI TETSUO;
申请日2000-08-24
分类号H01L21/027;G03F7/20;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:58:40