首页> 外国专利> METHOD FOR REMOVAL OF SURFACE ROUGHNESS OF METAL WIRING AND METHOD FOR FORMATION OF METAL WIRING ONTO TFT ARRAY

METHOD FOR REMOVAL OF SURFACE ROUGHNESS OF METAL WIRING AND METHOD FOR FORMATION OF METAL WIRING ONTO TFT ARRAY

机译:在TFT阵列上去除金属线表面粗糙度的方法和形成金属线的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively remove surface roughness formed on the surface of a metal wring after a wet etching operation in a semiconductor manufacturing process.;SOLUTION: A tetramethylammonium hydroxide(TMAH) solution is applied to the rough surface of the metal wiring, and it is placed still for a prescribed time. After that, the metal interconnection is cleaned, and the TMAH solution left on the surface of the metal wiring is removed.;COPYRIGHT: (C)2002,JPO
机译:解决的问题:为了有效去除半导体制造工艺中的湿法刻蚀操作后在金属绞线表面形成的表面粗糙度;解决方案:将四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液应用于金属布线的粗糙表面,并静置规定的时间。之后,清洁金属互连,并去除残留在金属布线表面的TMAH溶液。;版权所有:(C)2002,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP2002208594A

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HANNSTAR DISPLAY CORP;

    申请/专利号JP20010331761

  • 发明设计人 CHANG YAO-CHUNG;SUN CHIH-CHUNG;

    申请日2001-10-30

  • 分类号H01L21/3205;C23F1/00;G02F1/1343;H01L21/308;H01L21/336;H01L29/786;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:57:13

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号