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Etching solution for wet chemical pyramidal texture etching of silicon surfaces

机译:硅表面湿化学金字塔纹理蚀刻的蚀刻溶液

摘要

A new and improved etching solution and etching method provide wet chemical pyramidal texture etching of (100) silicon surfaces. A uniform and completely pyramidal texture etching of silicon surfaces is achieved with an etching solution including water, an alkaline reagent, and isopropanol together with an aqueous alkaline ethylene glycol solution.
机译:一种新的和改进的蚀刻溶液和蚀刻方法提供了对(100)硅表面的湿化学金字塔纹理蚀刻。用包括水,碱性试剂和异丙醇以及碱性乙二醇水溶液的蚀刻溶液,可以对硅表面进行均匀且完全呈金字塔形的纹理蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号US2002079290A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HOLDERMANN KONSTANTIN;

    申请/专利号US20020090915

  • 发明设计人 KONSTANTIN HOLDERMANN;

    申请日2002-03-05

  • 分类号C23F1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:50:46

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