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ADC based in-situ destructive analysis selection and methodology therefor

机译:基于ADC的原位破坏性分析选择及其方法

摘要

A method of inspecting a semiconductor wafer using scanning tools to find defects that occur during the manufacturing process and to the automatic classification, automatic selection of defects that require further analysis, the automatic selection of the equipment to perform the further analysis and the in-situ performance of the further analysis that includes destructive and non-destructive analysis.
机译:一种使用扫描工具检查半导体晶片的方法,以发现在制造过程中发生的缺陷,并自动分类,自动选择需要进一步分析的缺陷,自动选择进行进一步分析的设备以及就地进行检测进一步分析的性能,包括破坏性和非破坏性分析。

著录项

  • 公开/公告号US6423557B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US20010808785

  • 发明设计人 ALLEN S. YU;PAUL J. STEFFAN;

    申请日2001-03-15

  • 分类号H01L216/60;G01R312/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:48:27

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