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High-frequency resonant gate driver circuit for MOS-gated power switches

机译:MOS门控功率开关的高频谐振栅极驱动器电路

摘要

A resonant gate driver circuit suitable for driving MOS-gated power switches in high-frequency applications recovers gate drive energy stored in the gate capacitance of the power switches, resulting in substantially lossless operation. The resonant gate driver circuit provides bi-polar gate control signals that are compatible with PWM operation.
机译:适用于在高频应用中驱动MOS门控功率开关的谐振栅极驱动器电路可恢复存储在功率开关的栅极电容中的栅极驱动能量,从而实现基本无损的操作。谐振栅极驱动器电路提供与PWM操作兼容的双极栅极控制信号。

著录项

  • 公开/公告号US6441673B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;

    申请/专利号US20000706888

  • 发明设计人 RICHARD S. ZHANG;

    申请日2000-11-06

  • 分类号H03K175/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:48:16

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