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Mask inspecting apparatus and mask inspecting method which can inspect mask by using electron beam exposure system without independently mounting another mask inspecting apparatus

机译:可以不使用其他的掩模检查装置而独立地安装电子束曝光系统来进行掩模检查的掩模检查装置和掩模检查方法

摘要

A mask inspecting method includes (a), (b), (c), and (d). The (a) includes providing an electron beam exposure system used for patterning a wafer with a mask. The (b) includes emitting electrons to the mask from the electron beam exposure system. The (c) includes detecting an electron passing through the mask of the emitted electrons. The (d) includes inspecting the mask for a defect based on a detected result of the (c).
机译:掩模检查方法包括(a),(b),(c)和(d)。 (a)包括提供电子束曝光系统,该电子束曝光系统用于通过掩模对晶片进行构图。 (b)包括从电子束曝光系统向掩模发射电子。 (c)包括检测穿过发射的电子的掩模的电子。 (d)包括基于(c)的检测结果检查掩模是否有缺陷。

著录项

  • 公开/公告号US6462346B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号US20000721945

  • 发明设计人 HIDEO KOBINATA;

    申请日2000-11-27

  • 分类号H01J370/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:47:02

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