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Way to compensate the effect of coupling between bitlines in a multi-port memories

机译:补偿多端口存储器中位线之间耦合效应的方法

摘要

The present invention is directed to a system and method of compensating for coupling capacitance between bit lines in multi-port memories. The complementary bit lines are switched between a core cell and a modified core cell. The modified core cell may invert the connections to the access transistors. This results in the writing of data into the cell correctly while compensating for coupling capacitance.
机译:本发明针对补偿多端口存储器中的位线之间的耦合电容的系统和方法。互补位线在核心单元和修改的核心单元之间切换。修改后的核心单元可以反转到访问晶体管的连接。这导致在补偿耦合电容的同时将数据正确写入单元中。

著录项

  • 公开/公告号US6370078B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LSI LOGIC CORPORATION;

    申请/专利号US20000740604

  • 发明设计人 GHASI R. AGRAWAL;THOMAS R. WIK;

    申请日2000-12-19

  • 分类号G11C80/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:46:38

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