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POROUS SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT AND SILICON CARBIDE METAL COMPOSITE SUITABLE FOR USE IN TABLE FOR WAFER POLISHING MACHINE

机译:适用于晶圆抛光机的多孔碳化硅烧结体和碳化硅金属复合材料

摘要

A porous silicon carbide sinter having superior thermal uniformity, thermal response, and shape stability. The porous sinter is formed by silicon carbide crystals (21, 22), and the structure formed by the silicon carbide crystals includes opened pores (23). The silicon carbide crystals have an average grain diameter of 20µm or greater, a porosity of 40% or less, and a thermal conductivity of 80W/m·K or more.
机译:具有优异的热均匀性,热响应性和形状稳定性的多孔碳化硅烧结体。多孔烧结体由碳化硅晶体(21、22)形成,并且由碳化硅晶体形成的结构包括开孔(23)。碳化硅晶体的平均粒径为20μm以上,孔隙率为40%以下,并且热导率为80W / m·K以上。

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