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Quantum Dot Infrared PhotodetectorQDIP improved quantum efficiency

机译:量子点红外光电探测器QDIP提高了量子效率

摘要

The present invention relates to an infrared detector using a quantum dot, in particular a quantum dot infrared photodetector (QDIP) using metal grating and Al (Ga) As / GaAs superlattice light guiding structure grating and Al (Ga) As / GaAs superlattices waveguide). The quantum dot infrared detector according to the present invention forms a comb-shaped metal grating structure on the electrode to diffract the incident light, and also the Al on the GaAs substrate to reflect the incident light propagated vertically. By stacking (Ga) As / GaAs superlattice structures, more light is irradiated onto the pyramid-shaped quantum dots to increase light absorption.
机译:用于量子点的红外探测器技术领域本发明涉及一种使用量子点的红外探测器,特别是涉及一种使用金属光栅和Al(Ga)As / GaAs超晶格导光结构光栅以及Al(Ga)As / GaAs超晶格波导的量子点红外光电探测器(QDIP)。 。根据本发明的量子点红外检测器在电极上形成梳状金属光栅结构以使入射光衍射,并且在GaAs基板上形成Al以反射垂直传播的入射光。通过堆叠(Ga)As / GaAs超晶格结构,更多的光被照射到金字塔形量子点上以增加光吸收。

著录项

  • 公开/公告号KR100349599B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 삼성전자 주식회사;

    申请/专利号KR20000019518

  • 发明设计人 김문덕;홍성철;

    申请日2000-04-14

  • 分类号H01L31/09;H01L29/778;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 00:29:32

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