要解决的问题:提供一种即使在使用区域熔融再结晶法形成硅薄膜时提高扫描速度时也能够形成具有良好结晶性的硅薄膜的技术,以及提供一种使用形成的硅薄膜。
解决方案:此制造晶体硅薄膜的方法包括:在形成用于剥离的耐热层(例如氧化硅层,氮化硅层)之后,通过区域熔化再结晶工艺对表面光滑的多晶硅层进行再结晶。在耐热基板上具有表面光滑的多晶硅层等。或者在所述耐热基板上形成诸如氧化硅层,氮化硅层等的用于剥离的耐热层和多晶硅层之后,使所述多晶硅层的表面光滑。或者在耐热基板上形成诸如氧化硅层,氮化硅层等的用于剥离的耐热层以及薄的非晶硅层之后。
版权:(C)2003,日本特许厅
公开/公告号JP2003160396A
专利类型
公开/公告日2003-06-03
原文格式PDF
申请/专利号JP20010355566
申请日2001-11-21
分类号C30B29/06;C30B13/00;H01L31/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:13:44