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Etching systems and processing gas specie modulation

机译:蚀刻系统和气体种类调制

摘要

A method and system for etching a substrate control selectivity of the etch process by modulating the gas specie of the reactants. The gas specie selectively form and etch a buffer layer that protects underlying etch stop materials thereby providing highly selective etch processes.
机译:一种用于蚀刻基板的方法和系统,其通过调节反应物的气体种类来控制蚀刻工艺的选择性。气体物种选择性地形成和蚀刻缓冲层,该缓冲层保护下面的蚀刻停止材料,从而提供高度选择性的蚀刻工艺。

著录项

  • 公开/公告号US2003073312A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CELII FRANCIS G.;JIANG PING;

    申请/专利号US20020263981

  • 发明设计人 PING JIANG;FRANCIS G. CELII;

    申请日2002-10-03

  • 分类号H01L21/302;H01L21/461;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:11:21

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