首页> 外国专利> Microelectronic fabrication die electrical probe apparatus electrical test method providing enhanced microelectronic fabrication die electrical test accuracy and efficiency

Microelectronic fabrication die electrical probe apparatus electrical test method providing enhanced microelectronic fabrication die electrical test accuracy and efficiency

机译:微电子制造芯片电探针装置的电测试方法,提供增强的微电子制造芯片电测试的准确性和效率

摘要

Within a method for electrical test testing a series of microelectronic fabrication die fabricated within a microelectronic frabrication substrate, there is first electrical probe tested the series of microelectronic fabrication die to determine at least one sub-series of electrically acceptable microelectronic fabrication die. Each electrically acceptable microelectronic fabrication die within the at least one sub-series of electrically acceptable microelectronic fabrication die is then electrical probe retested, but electrically unacceptable microelectronic fabrication die within corresponding sub-series of electrically unacceptable microelectronic fabrication die are not.
机译:在一种用于电测试测试在微电子摩擦基板内制造的一系列微电子制造模具的方法中,首先进行电探针测试该一系列微电子制造模具以确定至少一个子系列的电学可接受的微电子制造模具。然后,对该电可接受的微电子制造模具的至少一个子系列中的每个电可接受的微电子制造模具进行电探针测试,但是不对电可接受的微电子制造模具的相应子系列中的电不可接受的微电子制造模具进行测试。

著录项

  • 公开/公告号US6639418B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.;

    申请/专利号US20010002525

  • 发明设计人 MING-SONG TSENG;

    申请日2001-11-21

  • 分类号G01R312/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:05:21

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号