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Method to improve accuracy of model-based optical proximity correction

机译:一种提高基于模型的光学邻近校正精度的方法

摘要

The disclosure describes an exemplary method of improving the accuracy of model-based optical proximity correction (OPC). This method can include identifying best exposure dose and best focus conditions, measuring critical dimensions at the identified conditions, measuring critical dimensions at variations from the identified conditions, and obtaining critical dimension information by averaging measured critical dimensions.
机译:本公开描述了一种提高基于模型的光学邻近校正(OPC)的准确性的示例性方法。该方法可以包括:识别最佳曝光剂量和最佳聚焦条件;在所识别的条件下测量临界尺寸;在与所识别的条件相差的情况下测量临界尺寸;以及通过平均测得的临界尺寸来获得临界尺寸信息。

著录项

  • 公开/公告号US6544699B1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US20010778583

  • 发明设计人 HUNG-EIL KIM;CARL P. BABCOCK;

    申请日2001-02-07

  • 分类号G03F90/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:04:32

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