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Semiconductor laser element having resonator surface coated with oxygen gettering layer and high thermal conductivity layer

机译:具有谐振器表面涂有氧吸收层和高导热层的半导体激光元件

摘要

In a semiconductor laser element including a multilayered structure being formed of a plurality of semiconductor layers made of a plurality of group III-V compounds, and having at least a pair of cleaved end surfaces as a pair of light resonator surfaces, a first reflectance control layer, made of an oxygen gettering material which has a function of gettering oxygen, is formed on at least one of the pair of light resonator surfaces, and a second reflectance control layer made of a nitride of a group III material is formed on the first reflectance control layer. IMAGE
机译:在包括由由多种III-V族化合物制成的多个半导体层形成并且具有至少一对劈开端面作为一对光谐振器表面的多层结构的半导体激光元件中,第一反射率控制在一对光谐振器表面的至少一个上形成由具有吸氧功能的吸氧材料制成的层,并且在第一光谐振器表面上形成由III族材料的氮化物制成的第二反射率控制层。反射率控制层。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号EP1081815B1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJI PHOTO FILM CO LTD;

    申请/专利号EP20000118620

  • 发明设计人 YAMANAKA FUSAO;

    申请日2000-08-28

  • 分类号H01S5/028;H01L33/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 23:52:30

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