要解决的问题:提供一种使用简单的器件结构通过电沉积从熔体中合成薄膜中MgB 解决方案:通过电沉积从熔体中合成超导硼化物MgB 版权:(C)2004,日本特许厅
公开/公告号JP2004010389A
专利类型
公开/公告日2004-01-15
原文格式PDF
申请/专利号JP20020163746
申请日2002-06-05
分类号C01G1/00;C01B35/04;H01B12/06;H01B13/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:34:36