解决方案:用于介电材料上的半导体材料的纳米结构的方法包括以下步骤:在该方法中,由第一半导体材料的前驱物(11)形成第一半导体材料的稳定核(14)。通过CVD法形成基板(12),选择前驱体以形成核(14)的步骤以及由稳定核形成第二半导体材料的纳米结构(16A,16B)的步骤(14)使用选择的前驱物(21)形成第一材料,以便通过CVD方法仅将第二半导体材料选择性地沉积在核(14)上。另外,本发明涉及一种具有通过一种方法形成的纳米结构及其纳米结构的装置。
版权:(C)2004,日本特许厅
公开/公告号JP2004179658A
专利类型
公开/公告日2004-06-24
原文格式PDF
申请/专利权人 COMMISS ENERG ATOM;
申请/专利号JP20030392551
申请日2003-11-21
分类号H01L21/285;B82B3/00;H01L21/205;H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/66;H01L29/788;H01L29/792;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:31:00