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Sputtering target and its production manner null for indium stannic acid chemical material film formation

机译:溅射靶及其生产方式对铟锡酸化学材料成膜没有意义

摘要

PURPOSE: To produce a high density sintered compact for indium-tin oxide film having a uniform density distribution. CONSTITUTION: Indium oxide-tin oxide powder is compacted, =80% density is attained by presintering and the resultant presintered compact is subjected to HIP accompanied by grain growth to obtain the objective indium oxide-tin oxide sintered compact having a uniform density distribution.
机译:用途:生产用于具有均匀密度分布的铟锡氧化物薄膜的高密度烧结体。组成:将氧化铟-氧化锡粉末压实,通过预烧结获得> = 80%的密度,并将所得的预烧结压块进行HIP并伴随晶粒生长,以获得具有均匀密度分布的目标氧化铟-氧化锡烧结压块。

著录项

  • 公开/公告号JP3472993B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立金属株式会社;

    申请/专利号JP19940338555

  • 发明设计人 菊池 広実;福島 英子;山田 信行;

    申请日1994-12-28

  • 分类号C23C14/34;C04B35/495;C04B35/645;C23C14/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 23:30:16

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