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DATA STROBE INPUT BUFFER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, DATA INPUT BUFFER, AND METHOD FOR CONTROLLING PROPAGATION DELAY TIME OF SEMICONDUCTOR MEMORY

机译:数据频闪输入缓冲器,半导体存储器,数据输入缓冲器以及控制半导体存储器的传播延迟时间的方法

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-mode data buffer controlling a propagation delay time and its control method. PSOLUTION: In a data buffer such as a data strobe input buffer or a data input buffer which can be operated with a multi-mode as SM (single mode) and DM (dual mode), the mode is selected by providing an external signal such as, for example, an address signal or an external command signal, the data buffer is used as SM/DM dual use, can improve data setup/hold-margin, a semiconductor memory device comprises the data buffer of one or more, also, a method of for controlling a propagation delay time can improve data setup/hold-margin of the SM/DM dual use data buffer. PCOPYRIGHT: (C)2004,JPO
机译:

要解决的问题:提供一种控制传播延迟时间的多模式数据缓冲器及其控制方法。

解决方案:在诸如数据选通输入缓冲器或可以以SM(单模式)和DM(双模式)等多种模式操作的数据输入缓冲器的数据缓冲器中,通过提供一个外部信号,例如地址信号或外部命令信号,数据缓冲器用作SM / DM双重用途,可以改善数据建立/保持裕度,一种半导体存储设备包括一个或多个数据缓冲器同样,用于控制传播延迟时间的方法可以改善SM / DM双重用途数据缓冲器的数据建立/保持裕度。

版权:(C)2004,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2003331580A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-11-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;

    申请/专利号JP20030130825

  • 发明设计人 MOON BYONG-MO;RI TEIBAI;SEO SEONG-YOUNG;

    申请日2003-05-08

  • 分类号G11C11/409;G11C11/407;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 23:25:32

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