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同步半导体存储器装置的数据输入单元及数据输入方法

摘要

本发明揭示一种同步半导体存储器装置的数据输入单元,其包括:用于在一欲输入的数据选通信号DQS的上升边沿和下降边沿产生一上升边沿信号和一下降边沿信号的部件;用于每当产生两个下降边沿信号时产生一第一下降边沿信号的部件;一数据转换部件,用于将输入数据分配成四个数据,并且响应该上升边沿信号及该下降边沿信号,锁存这些四个分配的数据,并且接着响应该第二下降边沿信号再次锁存该第四个分配的数据;以及一全局输入/输出信号发生器,用于响应一选通时钟脉冲,将数据从该数据转换部件传输至一全局输入/输出线。

著录项

  • 公开/公告号CN100418159C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200410005218.2

  • 发明设计人 尹荣镇;李承民;金始弘;

    申请日2004-02-17

  • 分类号G11C11/407(20060101);G11C7/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王志森;黄小临

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/407 授权公告日:20080910 终止日期:20140217 申请日:20040217

    专利权的终止

  • 2008-09-10

    授权

    授权

  • 2005-01-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-03

    公开

    公开

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