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Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film and thin film transistor fabricated using polycrystalline silicon thin film manufactured by the manufacturing

机译:多晶硅薄膜的制造方法以及使用通过该制造而制造的多晶硅薄膜制造的薄膜晶体管

摘要

A method of manufacturing polycrystalline silicon thin film using a laser beam to crystallize amorphous silicon thin film, the method including overlappingly irradiating the laser beam onto a region wider than 0.5 &mgr;m when crystallizing the amorphous silicon thin film.
机译:一种使用激光束使非晶硅薄膜结晶的多晶硅薄膜的制造方法,该方法包括:在使非晶硅薄膜结晶时,将激光束交叠地照射到宽于0.5μm的区域上。

著录项

  • 公开/公告号US2004163585A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG SDI CO. LTD.;

    申请/专利号US20030690507

  • 发明设计人 JI YONG PARK;HYE HYANG PARK;

    申请日2003-10-23

  • 分类号C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;C30B28/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:22:19

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