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Method of making a spin valve sensor of a read head with a triple antiparallel coupled free layer structure

机译:具有三层反平行耦合自由层结构的读取头的旋转阀传感器的制造方法

摘要

A method of making a dual spin valve sensor includes the steps of forming first and second pinned layer structures, forming antiferromagnetic first and second pinning layers exchange coupled to the first and second pinned layer structures, forming an antiparallel (AP) coupled free layer structure between the first and second pinned layer structures, forming nonmagnetic conductive first and second spacer layers between the AP coupled free layer structure and the first and second pinned layer structures respectively, and a making of the AP coupled free layer structure includes the steps of forming ferromagnetic first, second and third antiparallel (AP) coupled free layers and forming a first antiparallel coupling layer between the first and second AP coupled free layers and a second antiparallel coupling layer between the second and third AP coupled free layers.
机译:一种制造双自旋阀传感器的方法,包括以下步骤:形成第一和第二被钉扎层结构;形成与第一和第二被钉扎层结构交换耦合的反铁磁的第一和第二钉扎层;在两个铁心之间形成反平行(AP)耦合的自由层结构。第一和第二固定层结构,分别在AP耦合的自由层结构与第一和第二固定层结构之间形成非导磁的第一和第二隔离层,并且AP耦合的自由层结构的制造包括形成铁磁的第一步骤。第一,第二和第三反平行(AP)耦合自由层,并在第一和第二AP耦合自由层之间形成第一反平行耦合层,并且在第二和第三AP耦合自由层之间形成第二反平行耦合层。

著录项

  • 公开/公告号US6802114B2

    专利类型

  • 公开/公告日2004-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号US20030659924

  • 发明设计人 HARDAYAL SINGH GILL;

    申请日2003-09-11

  • 分类号G11B51/27;H04R310/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:20:22

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