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Asynchronous input data path technique for increasing speed and reducing latency in integrated circuit devices incorporating dynamic random access memory (DRAM) arrays and embedded DRAM

机译:异步输入数据路径技术,用于在集成了动态随机存取存储器(DRAM)阵列和嵌入式DRAM的集成电路设备中提高速度并减少延迟

摘要

A non-clocked data-in path in an integrated circuit device incorporating a random access memory array allows data written to the array to ripple through to all banks all the way up to the local write circuitry. This allows for the fastest writes possible to the array since there are no additional clocking registers to slow down the data flow.
机译:集成有随机存取存储器阵列的集成电路设备中的非时钟输入数据路径允许写入阵列的数据一直波动到所有存储体,直至到达本地写入电路。由于没有额外的时钟寄存器来减慢数据流,因此可以对阵列进行最快的写入。

著录项

  • 公开/公告号US6744690B1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNITED MEMORIES INC.;SONY CORPORATION;

    申请/专利号US20020289736

  • 发明设计人 MICHAEL C. PARRIS;

    申请日2002-11-07

  • 分类号G11C80/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:15:35

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