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METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE, METHOD FOR FABRICATING THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE FABRICATING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE TO FORM CONTACT HOLE WITHOUT VACUUM APPARATUS

机译:形成接触孔的方法,制造薄膜半导体器件的方法,电子器件制造方法和电子设备以形成不具有真空装置的接触孔

摘要

PURPOSE: A method for forming a contact hole is provided to form a contact hole by eliminating the necessity of an expensive vacuum apparatus while shortening an interval of time for forming the contact hole. CONSTITUTION: A contact hole is formed to electrically connect the first and second conductive parts through an insulation layer. A mask material(40) is formed on a contact hole region on the first conductive part. An insulation layer is formed on the entire surface of a substrate(10) except the mask material. The mask material is eliminated to form a through hole in the insulation layer.
机译:目的:提供一种用于形成接触孔的方法,以通过消除昂贵的真空设备的必要性同时缩短用于形成接触孔的时间间隔来形成接触孔。构成:接触孔形成为通过绝缘层电连接第一和第二导电部分。在第一导电部分上的接触孔区域上形成掩模材料(40)。在除掩模材料之外的基板(10)的整个表面上形成绝缘层。去除掩模材料以在绝缘层中形成通孔。

著录项

  • 公开/公告号KR20040082280A

    专利类型

  • 公开/公告日2004-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEIKO EPSON CORPORATION;

    申请/专利号KR20040015390

  • 发明设计人 SATO MITSURU;YUDASAKA ICHIO;

    申请日2004-03-08

  • 分类号H01L21/28;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:47:57

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