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INPUT BUFFER WITH DELAY REDUCTION PART OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE TO REDUCE DELAY OF EACH INVERTER NODE

机译:具有半导体存储器延迟减少部分的输入缓冲器,可减少每个逆变器节点的延迟

摘要

PURPOSE: An input buffer of a semiconductor memory device is provided to reduce delay of each inverter node and to enable high speed operation by using a delay reduction part. CONSTITUTION: An input buffer comprises an inverter chain(10) composed of a plurality of inverters connected in series to delay an input signal, and a delay reduction part for reducing signal variation width. The delay reduction part is provided with a first signal variation width reduction part(20) for shifting a high level output signal to an upper limit of a trip point voltage level, and a second signal variation width reduction part(30) for shifting the high level output signal to a lower limit of the trip point voltage level.
机译:目的:提供半导体存储器件的输入缓冲器,以减少每个反相器节点的延迟,并通过使用延迟减少部件来实现高速操作。构成:输入缓冲器包括:反相器链(10),其由多个串联连接的反相器组成,以延迟输入信号;以及延迟减小部件,用于减小信号变化幅度。延迟减小部分设置有用于将高电平输出信号移位到跳变点电压电平的上限的第一信号变化幅度减小部分(20),以及用于将高电平输出信号移位到第二信号变化宽度减小部分(30)。电平输出信号到跳变点电压电平的下限。

著录项

  • 公开/公告号KR100444316B1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR19970073425

  • 发明设计人 SON JIN SEUNG;

    申请日1997-12-24

  • 分类号H01L27/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:46:46

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