机译:用于半导体存储单元的沟槽电容器的生产包括使用硬掩模在衬底中形成沟槽,在沟槽区域中形成电容器电介质,绝缘套环和导电填充剂,以及进一步处理
公开/公告号DE10255845B3
专利类型
公开/公告日2004-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2002155845
发明设计人 SCHLOESSER TILL;LUETZEN JOERN;KUDELKA STEPHAN;HEINECK LARS;POPP MARTIN;STEINMETZ JOHANN;MOLL HANS-PETER;
申请日2002-11-29
分类号H01L21/8242;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:43:40