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Schottky diode resisting overcurrent, with low blocking current, is formed with defined, differing spacings between regions of differing conduction type

机译:形成具有低阻断电流的耐过电流的肖特基二极管,在不同导电类型的区域之间具有确定的不同间距

摘要

To initiate injection of triggering current, at least one region (4, 5) of the other conduction type is so formed that minimum spacing (D) from the center of one region (5) to a region of one conductor type, is greater than the corresponding least spacing (d) to remaining regions (4) of the other conduction type.
机译:为了开始触发电流的注入,形成另一种导电类型的至少一个区域(4、5),使得从一个区域(5)的中心到一种导体类型的区域的最小间隔(D)大于与其他导电类型的其余区域(4)的最小间距(d)。

著录项

  • 公开/公告号DE10259373A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2002159373

  • 发明设计人 WILLMEROTH ARMIN;

    申请日2002-12-18

  • 分类号H01L29/872;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:36

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