解决方案:在惰性气氛下,在反应炉1中将卤化纳米碳材料加热至300℃至500℃,以解吸物理吸附的气体。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005132701A
专利类型
公开/公告日2005-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 NIKON CORP;
申请/专利号JP20030372841
发明设计人 TAKI YUSUKE;
申请日2003-10-31
分类号C01B31/02;B01J20/20;B01J20/34;C01B3/00;H01M8/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:35:37