要解决的问题:提供一种光电探测器,其对于输入光信号的响应速度进一步提高并且其责任增加,并提供一种有效制造这些光电探测器的方法。
解决方案:光电探测器包括III级亚晶格铟浓度不小于53%的高铟浓度(H-I-C)吸收层。 H-I-C吸收层具有增强的作用,而不会减小带宽。包含H-I-C吸收层的光电转换结构通过在光电转换结构与基板之间形成晶格常数梯度来采用转换缓冲层,从而可以形成所需种类的基板。通过构造光电探测器以使入射光信号至少两次通过H-I-C吸收层,可以进一步提高光电探测器的功能。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005039269A
专利类型
公开/公告日2005-02-10
原文格式PDF
申请/专利权人 TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC;
申请/专利号JP20040204494
申请日2004-07-12
分类号H01L31/10;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:28:57