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MANUFACTURING METHOD OF COLD CATHODE TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT, COLD CATHODE TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND DRIVING METHOD OF COLD CATHODE TYPE ELECTRON EMISSION ELEMENT

机译:冷阴极型电子发射元件的制造方法,冷阴极型电子发射元件的驱动方法以及冷阴极型电子发射元件的驱动方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cold cathode type electron emission element capable of increasing an emission current by improving emission efficiency.;SOLUTION: This manufacturing method of this cold cathode type electron emission element comprises processes for: forming a pair of electrodes on a substrate with a space; forming, in the space between a pair of the electrode, conductive thin films having a crack part and respectively connected to a pair of the electrodes; forming electron emission parts each formed of a conductive deposition on the conductive thin films; and applying a treatment using plasma to the electron emission parts to expand the gap of the crack part.;COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种能够通过提高发射效率来增加发射电流的冷阴极型电子发射元件。解决方案:该冷阴极型电子发射元件的这种制造方法包括以下工艺:在硅上形成一对电极。具有空间的基板;在一对电极之间的空间中形成具有裂纹部分并分别连接至一对电极的导电薄膜。在导电薄膜上形成每个由导电沉积物形成的电子发射部分;对电子发射部分进行等离子体处理,以扩大裂纹部分的间隙。;版权所有:(C)2005,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2005004984A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIBA CORP;

    申请/专利号JP20030163861

  • 发明设计人 FUKUDA KATSUYOSHI;ISHIZUKA YOSHIKI;

    申请日2003-06-09

  • 分类号H01J9/02;H01J1/316;H01J29/04;H01J31/12;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 22:27:42

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