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Semiconductor integrated circuit device including OTP memory, and method of programming OTP memory

机译:包括otp存储器的半导体集成电路装置以及对otp存储器进行编程的方法

摘要

A semiconductor integrated circuit device includes a storage element, state sensing circuit, and control circuit. Information is programmed in the storage element by electrically irreversibly changing the element characteristics. The state sensing circuit is configured to sense the irreversibly changed state of the storage element in distinction from an unchanged state. The control circuit is configured to change the sensibility of the state sensing circuit.
机译:半导体集成电路器件包括存储元件,状态感测电路和控制电路。通过不可逆地改变元件特性,可以在存储元件中编程信息。状态感测电路被配置为与未改变的状态区别地感测存储元件的不可逆改变的状态。控制电路被配置为改变状态感测电路的灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号US2005226078A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIROSHI ITO;TOSHIMASA NAMEKAWA;

    申请/专利号US20040898249

  • 发明设计人 HIROSHI ITO;TOSHIMASA NAMEKAWA;

    申请日2004-07-26

  • 分类号G11C8/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:25:57

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