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Asymmetric run length constraints for increased resolution and power margin in mammos read-out

机译:非对称游程长度限制,可提高mmos读数中的分辨率和功率裕度

摘要

In the present invention asymmetric run length constraints with different minimum run lengths for first and second patterns representing binary data are introduced, like dm=0 for the first pattenr, i.e. shortest sequence of first patterns is equal to the bit period, and ds0 for the second pattern, i.e. shortest sequence of second patterns is equal to d+1 bit periods. Thereby, the small “cost” of a reduced code rate will be more than compensated by a large increase in power margin.
机译:在本发明中,引入了对于表示二进制数据的第一和第二模式具有不同最小游程长度的不对称游程长度约束,例如对于第一模式,dm = 0,即第一模式的最短序列等于比特周期,并且ds> 0对于第二模式,即第二模式的最短序列等于d + 1个比特周期。因此,降低的码率所产生的小的“成本”将远远大于功率裕量的大幅增加所补偿。

著录项

  • 公开/公告号US2005094499A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-05-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COEN ADRIANUS VERSCHUREN;

    申请/专利号US20040497430

  • 发明设计人 COEN ADRIANUS VERSCHUREN;

    申请日2002-12-06

  • 分类号G11B11/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:53

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