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Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias

机译:使用热迁移来制造导电通孔以制造背接触式硅太阳能电池

摘要

Methods of manufacturing back-contacted silicon solar cells fabricated using a gradient-driven solute transport process, such as thermomigration or electromigration, to create n-type conductive vias connecting the n-type emitter layer on the front side to n-type ohmic contacts located on the back side.
机译:使用反向驱动的溶质传输工艺(例如热迁移或电迁移)制造的背接触式硅太阳能电池的制造方法,以创建将正面的n型发射极层连接到所定位的n型欧姆接触的n型导电通孔在背面。

著录项

  • 公开/公告号US2004261839A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GEE JAMES M;SCHMIT RUSSELL R;

    申请/专利号US20030606487

  • 发明设计人 JAMES M. GEE;RUSSELL R. SCHMIT;

    申请日2003-06-26

  • 分类号H01L31/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:49

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