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Method for forming a photonic band-gap structure and a device fabricated in accordance with such a method

机译:形成光子带隙结构的方法和根据该方法制造的器件

摘要

A device for application in the high frequency field and a method for forming a photonic band-gap structure are provided. The device being mountable on a primary substrate for forming the device. The device being formed by forming conformal coplanar waveguide metallizations on surface areas of two substrates, connecting the conformal coplanar waveguide metallizations of the two substrates, and structured back-etching of the two substrates, starting at surface areas of the two substrates that are opposite the coplanar waveguide metallizations.
机译:提供了一种在高频领域中应用的设备和一种形成光子带隙结构的方法。该装置可安装在用于形成该装置的主基板上。通过在两个基板的表面区域上形成共形共面波导金属化层,连接两个基板的共形共面波导金属化层,并从两个基板的相对于两个基板的表面区域开始结构化地对两个基板进行背蚀刻,来形成器件。共面波导金属化。

著录项

  • 公开/公告号US2005250232A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOJTABA JOODAKI;

    申请/专利号US20050121990

  • 发明设计人 MOJTABA JOODAKI;

    申请日2005-05-05

  • 分类号H01L21/00;G02B6/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:36

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