首页> 外国专利> METHOD FOR FABRICATING ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT SILICON SUBSTRATE FROM BEING WARPED BY COMPRESSIVE STRESS AND TENSILE STRESS

METHOD FOR FABRICATING ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT SILICON SUBSTRATE FROM BEING WARPED BY COMPRESSIVE STRESS AND TENSILE STRESS

机译:制造半导体器件隔离层以防止硅基质受压应力和拉伸应力作用的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号KR20050009637A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20030049447

  • 发明设计人 CHAE EUN CHEOL;

    申请日2003-07-18

  • 分类号H01L21/762;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:59

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