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机译:获得与高速对应的良好的静电防护特性的静电防护装置及其制造方法
公开/公告号KR20050009900A
专利类型
公开/公告日2005-01-26
原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
申请/专利号KR20030049259
发明设计人 YANG HAE CHANG;
申请日2003-07-18
分类号H01L27/04;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:05:56
机译: 静电放电(ESD)保护装置和制造该ESD保护装置的方法
机译: 静电放电保护装置及制造该静电放电保护装置的方法
机译: 通过对ESD注入和硅化物阻挡区域使用相同的光刻掩模来制造ESD保护器件的方法