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METHOD OF ANALYZING ALD SOURCE GAS WITHIN ALD APPARATUS BY USING RESIDUAL GAS ANALYZER-QUADRUPLE MASS SPECTROMETER

机译:残余气体分析仪-四重质谱仪分析ALD装置内ALD源气的方法

摘要

Purpose: method of the one kind for analyzing ALD (atomic layer deposition) source gas is arranged to confirm that a sedimentation mechanism uses a kind of ALD methods by correctly analyzing ALD source gases within a deposition chamber. Construction: a pump process will carry out pump gas from a room ALD (S10). One ionization process has 10 Dao the 15eV energy in gas (S12) by accelerating electronics to carry out ionized gas. One mass spectrum is realized by ionized gas to one residual gas analyzer-quadrupole mass spectrometer (S14). One gas analysis process will carry out analysis gas by using mass spectrum (S16).
机译:目的:安排一种用于分析ALD(原子层沉积)源气体的方法,以通过正确分析沉积室内的ALD源气体来确定沉积机制使用了一种ALD方法。结构:泵送过程将从房间ALD中抽出泵送气体(S10)。一种电离过程通过加速电子器件以执行电离气体,从而在气体(S12)中具有10道15eV能量。通过离子化气体到一台残留气体分析仪-四极质谱仪(S14)来实现一个质谱。一种气体分析过程将通过使用质谱进行分析气体(S16)。

著录项

  • 公开/公告号KR20050024794A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20030061647

  • 发明设计人 LEE JIN HEE;

    申请日2003-09-04

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:42

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