首页> 外国专利> Semiconductor laser amplifier has active layer sandwich between input and output facets and convergent preamplification structure in charge carrier input region

Semiconductor laser amplifier has active layer sandwich between input and output facets and convergent preamplification structure in charge carrier input region

机译:半导体激光放大器在输入和输出小面之间具有有源层,并且在电荷载流子输入区域中具有会聚的前置放大结构

摘要

A semiconductor laser amplifier comprises input (14) and output (16) facets coupled to an extending semiconductor sandwich of an optically active layer (28) and boundary layers (26,30) with electrical contact regions (12,32) having a narrowing pre-amplification section (20) on the input side and a broadening main output side. An independent claim is also included for a laser system comprising the above.
机译:半导体激光放大器包括输入(14)和输出(16)小面,其耦合到光学有源层(28)和边界层(26,30)的延伸的半导体夹心,边界层(26,30)具有电势变窄的电接触区域(12,32)。 -在输入侧和加宽的主输出侧的放大部分(20)。对于包括以上内容的激光系统也包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10316220A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITAET ULM;

    申请/专利号DE2003116220

  • 发明设计人 DEMARIA FRANK;GUTBROD-VANGEROW MANFRED;

    申请日2003-04-09

  • 分类号H01S5/00;H01S5/10;H01S5/50;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:27

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号