首页> 外国专利> Trench IGBT has a trench provided with an insulating layer in its lower region

Trench IGBT has a trench provided with an insulating layer in its lower region

机译：沟槽式IGBT的下部区域具有绝缘层的沟槽

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

Trench IGBT has a trench (11) provided with an insulating layer (14) in its lower region.

机译：沟槽式IGBT具有在其下部区域中设有绝缘层（14）的沟槽（11）。

著录项

公开/公告号DE10319515A1

专利类型
公开/公告日2004-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
展开▼

申请/专利号DE2003119515
发明设计人 TIHANYI JENOE;
展开▼

申请日2003-04-30
分类号H01L29/739;H01L29/78;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:01:27

相似文献

专利
外文文献
中文文献

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号